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onsemi NTMFD1D4N02P1E
| Artikelnummer: | NTMFD1D4N02P1E |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 8PQFN |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi NTMFD1D4N02P1E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTMFD1D4N02P1E.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA, 2V @ 800µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V Leistung - max 960mW (Ta), 1W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc) Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Grundproduktnummer NTMFD1 -
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